Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Power Max
- 900mW
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 5.3V
- Frequency Transition
- 11.2GHz
- Transistor Type
- NPN
- Fabrika Tedarik Süresi
- 12 Weeks
- Currentcollector Ic Max
- 100mA
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Kılıf / Paket
- 3-SMD, Flat Lead
- Gain
- 12.5dB
- Noise Figure Db Typ F
- 1.45dB @ 1GHz
- Parça Durumu
- Active
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 200 @ 30mA 5V
İlgili Ürünler
Microsemi Corporation
0204-125
RF BJT Transistors
Microsemi Corporation
0510-50A
RF BJT Transistors
HARTING
09022326834
RF BJT Transistors
HARTING
09023646919
RF BJT Transistors
HARTING
09030006246
RF BJT Transistors
HARTING
09030006247
RF BJT Transistors
HARTING
09031466903
RF BJT Transistors
HARTING
09032322850222
RF BJT Transistors