+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
MT3S111TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S111TU,LF

RF BJT Transistors

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Parça Durumu
Active
Noise Figure Db Typ F
0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz
Montaj Tipi
Surface Mount
Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
200 @ 30mA 5V
RoHS Durumu
RoHS Compliant
Nem Hassasiyeti (MSL)
1 (Unlimited)
Frequency Transition
10GHz
Power Max
800mW
Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
NOT SPECIFIED
Voltage Collector Emitter Breakdown Max
6V
Ambalaj
Tape & Reel (TR)
Gain
12.5dB
Kılıf / Paket
3-SMD, Flat Lead
Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
NOT SPECIFIED
Fabrika Tedarik Süresi
12 Weeks
Çalışma Sıcaklığı
150°C TJ
Currentcollector Ic Max
100mA
Transistor Type
NPN

İlgili Ürünler

  • Microsemi Corporation

    0204-125

    RF BJT Transistors
  • Microsemi Corporation

    0510-50A

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09022326834

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09023646919

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09030006246

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09030006247

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09031466903

    RF BJT Transistors
  • HARTING

    09032322850222

    RF BJT Transistors
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek