+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix
MT3S111P(TE12L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S111P(TE12L,F)

RF BJT Transistors

StoktaRoHS: Compliant
Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Kılıf / Paket
TO-243AA
Gain
10.5dB
Transistor Type
NPN
Fabrika Tedarik Süresi
12 Weeks
Çalışma Sıcaklığı
150°C TJ
Currentcollector Ic Max
100mA
Power Max
1W
Voltage Collector Emitter Breakdown Max
6V
Frequency Transition
8GHz
Power Dissipationmax Abs
0.3W
Ambalaj
Tape & Reel (TR)
Yüzey Montaj
YES
Polaritychannel Type
NPN
Configuration
Single
Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
200 @ 30mA 5V
Montaj Tipi
Surface Mount
RoHS Durumu
RoHS Compliant
Nem Hassasiyeti (MSL)
1 (Unlimited)
Parça Durumu
Active
ECCN Kodu
EAR99
Noise Figure Db Typ F
1.25dB @ 1GHz
Transition Frequency
6000MHz

İlgili Ürünler

  • Stokta

    Microsemi Corporation

    0204-125

    RF BJT Transistors
  • Stokta

    Microsemi Corporation

    0510-50A

    RF BJT Transistors
  • Stokta

    HARTING

    09022326834

    RF BJT Transistors
  • Stokta

    HARTING

    09023646919

    RF BJT Transistors
  • Stokta

    HARTING

    09030006246

    RF BJT Transistors
  • Stokta

    HARTING

    09030006247

    RF BJT Transistors
  • Stokta

    HARTING

    09031466903

    RF BJT Transistors
  • Stokta

    HARTING

    09032322850222

    RF BJT Transistors
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek