Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Dc Current Gain Hfe Max
- 400 at 2 mA, 6 V
- Montaj Stili
- SMD/SMT
- Voltage Collector Emitter Breakdown Max
- 50V
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- ES6
- Collector Base Voltage Vcbo
- 50 V
- Ambalaj
- MouseReel
- Transistor Polarity
- NPN, PNP
- Emitter Base Voltage Vebo
- 5 V
- Qualification
- AEC-Q200
- Gain Bandwidth Product Ft
- 80 MHz
- Part Aliases
- HN1B04FE-Y,LXHF(B
- Frequency Transition
- 80MHz
- Current Collector Cutoff Max
- 100nA (ICBO)
- Power Max
- 100mW
- Pd Power Dissipation
- 100 mW
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- + 150 C
- Fabrika Paket Adedi
- 4000
- Collector Emitter Voltage Vceo Max
- 50 V
- Kılıf / Paket
- SOT-563, SOT-666
- Currentcollector Ic Max
- 150mA
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C (TJ)
- Ürün Tipi
- BJTs - Bipolar Transistors
- Dc Collectorbase Gain Hfe Min
- 120 at 2 mA, 6 V
- Transistor Type
- NPN, PNP
- RoHS
- Details
- Collectoremitter Saturation Voltage
- 100 mV
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 250mV @ 10mA, 100mA, 300mV @ 10mA, 100mA
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 120 @ 2mA, 6V
- Ürün Durumu
- Active
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Configuration
- Dual
- Continuous Collector Current
- 150 mA
- Technology
- Si
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors