Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Terminal Sayısı
- 6
- Max Collector Current
- 150mA
- Max Breakdown Voltage
- 50V
- Transistor Application
- AMPLIFIER
- Max Power Dissipation
- 100mW
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Polaritychannel Type
- NPN AND PNP
- Jesd30 Code
- R-PDSO-F6
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Yayın Yılı
- 2014
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 250mV
- Number Of Elements
- 2
- Transition Frequency
- 80MHz
- Kılıf / Paket
- SOT-563, SOT-666
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Transistor Type
- NPN, PNP
- Fabrika Tedarik Süresi
- 12 Weeks
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Power Max
- 100mW
- Current Collector Cutoff Max
- 100nA ICBO
- Frequency Transition
- 80MHz
- Transistor Element Material
- SILICON
- Terminal Formu
- FLAT
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 120 @ 2mA 6V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Configuration
- SEPARATE, 2 ELEMENTS
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Parça Durumu
- Active
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 250mV @ 10mA, 100mA
- Montaj
- Surface Mount
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors