Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Emitter Base Voltage Vebo
- -5V
- Pin Sayısı
- 6
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 300mV
- Uzunluk
- 2mm
- Gain Bandwidth Product
- 80MHz
- Yayın Yılı
- 2014
- Hfemin
- 120
- Max Breakdown Voltage
- 50V
- Ambalaj
- Cut Tape (CT)
- Collector Base Voltage Vcbo
- -50V
- Max Power Dissipation
- 200mW
- Max Collector Current
- 150mA
- Polarity
- PNP
- Genişlik
- 1.25mm
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 300mV @ 10mA, 100mA
- Collectoremitter Saturation Voltage
- -100mV
- Parça Durumu
- Active
- Montaj
- Surface Mount
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 120 @ 2mA 6V
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Continuous Collector Current
- -150mA
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Yükseklik
- 900μm
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Current Collector Cutoff Max
- 100nA ICBO
- Power Max
- 200mW
- Kılıf / Paket
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Çalışma Sıcaklığı
- 125°C TJ
- Fabrika Tedarik Süresi
- 12 Weeks
- Transistor Type
- 2 PNP (Dual)
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors