+90 533 300 32 01
C3 ChipZentronix

Toshiba Semiconductor and Storage

GT30N135SRA,S1E

Single IGBTs

RoHS: Compliant

Fiyat için teklif alın

Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.

Teknik özet (PDF)

Sevkiyat

Stoktan aynı gün hazırlık

Orijinal ürün

Doğrulanmış tedarik

RoHS

Compliant

Destek

Teknik ekip desteği

Teknik Özellikler

Vceon Max Vge Ic
2.6V @ 15V, 60A
Pd Power Dissipation
348 W
Gate Charge
270 nC
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Collector Emitter Voltage Vceo Max
1.35 kV
Kılıf / Paket
TO-247-3
Tedarikçi Cihaz Paketi
TO-247
Continuous Collector Current At25 C
60 A
Maximum Gate Emitter Voltage
- 25 V, 25 V
Voltage Collector Emitter Breakdown Max
1350 V
Collectoremitter Saturation Voltage
2.15 V
Power Max
348 W
Technology
Si
Test Conditions
300V, 60A, 39Ohm, 15V
Giriş Tipi
Standard
Ürün Durumu
Active
Maks. Çalışma Sıcaklığı
+ 175 C
Currentcollector Ic Max
60 A
Montaj Stili
Through Hole
Switching Energy
-, 1.3mJ (off)
Current Collector Pulsed Icm
120 A
Montaj Tipi
Through Hole
Configuration
Single
Çalışma Sıcaklığı
175°C (TJ)
Paket
Tube

İlgili Ürünler

  • LUMBERG AUTOMATION

    109628 0980 ESL 700

    Single IGBTs
  • LUMBERG AUTOMATION

    11119 ASBS 2 M12-4S-90

    Single IGBTs
  • LUMBERG AUTOMATION

    12138 VAD1A-1-3-226/5M

    Single IGBTs
  • Microsemi Corporation

    1214-55P

    Single IGBTs
  • LUMBERG AUTOMATION

    12180 VADM12 1A-VAD1A-1-3-226/0,4M

    Single IGBTs
  • WEIDMÜLLER

    1701230000 SAI-4-M 5P M12

    Single IGBTs
  • Fuji Electric Co Ltd

    1MBI300NN-120

    Single IGBTs
  • Semikron

    22890695

    Single IGBTs
  • Hızlı Teslimat

    Stoktan aynı gün hazırlık ve sevkiyat

    Orijinal Ürün

    Yetkili kaynaklardan tedarik

    Datasheet

    Parça için teknik doküman erişimi

    Teknik Destek

    Satış öncesi ve sonrası uzman destek