Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Hfemin
- 40
- Collectoremitter Saturation Voltage
- -400mV
- Collector Base Voltage Vcbo
- -30V
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 400mV
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 400mV @ 20mA, 500mA
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 160 @ 100mA 1V
- Emitter Base Voltage Vebo
- -5V
- Fabrika Tedarik Süresi
- 12 Weeks
- Continuous Collector Current
- -800mA
- Power Max
- 200mW
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Gain Bandwidth Product
- 120MHz
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Montaj Tipi
- Surface Mount
- Max Collector Current
- 800mA
- Max Breakdown Voltage
- 25V
- Transistor Type
- PNP
- Kılıf / Paket
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Yayın Yılı
- 2014
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Parça Durumu
- Active
- Montaj
- Surface Mount
- Ambalaj
- Tape & Reel (TR)
- Max Power Dissipation
- 200mW
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Current Collector Cutoff Max
- 100nA ICBO
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 25V
İlgili Ürünler
ON Semiconductor
12A02CH-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
12A02MH-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C01C-TB-E
Single BJT Transistors
Sanyo
15C01M-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C01SS-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C02CH-TL-E
Single BJT Transistors
ON Semiconductor
15C02MH-TL-E
Single BJT Transistors
Microchip Technology
2C2222A
Single BJT Transistors