Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Hfemin
- 80
- Emitter Base Voltage Vebo
- -5V
- Yayın Yılı
- 2014
- Max Collector Current
- 100mA
- Ambalaj
- Cut Tape (CT)
- Fabrika Tedarik Süresi
- 18 Weeks
- Max Breakdown Voltage
- 50V
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 300mV
- Montaj
- Surface Mount
- Polarity
- PNP
- Element Configuration
- Dual
- Power Dissipation Max
- 200mW
- Kılıf / Paket
- SOT-363
- RoHS Durumu
- RoHS Compliant
- Continuous Collector Current
- -100mA
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Frequency Transition
- 200MHz
İlgili Ürünler
Stokta
Panjit
2SC164S_R1_00001
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114EUQ-13R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114EUQ-7R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114YUQ-13R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX114YUQ-7R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX115EUQ-13R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX115EUQ-7R
BJT Transistors Arrays
Diodes Incorporated
ACX124EUQ-13R
BJT Transistors Arrays