TPS1120DG4

Teknik Özellikler

Terminal Pozisyonu

DUAL

Rise Time

10ns

Transistor Application

SWITCHING

Drain To Source Voltage Vdss

-15V

Terminal Formu

GULL WING

Terminal Sayısı

8

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Maks. Çalışma Sıcaklığı

125°C

Number Of Elements

2

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Turn On Delay Time

4.5 ns

Turn Off Delay Time

13 ns

Power Dissipation Max

840mW

Drain To Source Breakdown Voltage

15V

Fall Time Typ

10 ns

Genişlik

3.91mm

Drain To Source Resistance

180mOhm

Continuous Drain Current Id

1.17A

Pin Sayısı

8

Polaritychannel Type

P-CHANNEL

JESD-609 Kodu

e4

ECCN Kodu

EAR99

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Yükseklik

1.58mm

Pin Sayısı

8

Additional Feature

LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD PROTECTED

Gate To Source Voltage Vgs

2V

RoHS Durumu

RoHS Compliant

Rds On Max

180 mΩ

Uzunluk

4.9mm

Min. Çalışma Sıcaklığı

-40°C

Kılıf / Paket

SOIC

Kurşunsuz

Lead Free

Power Dissipation

840mW

Radyasyon Dayanımı

No

Terminal Kaplaması

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

Montaj

Surface Mount