TL081BCDR

Teknik Özellikler

Fonksiyon Sayısı

1

Voltage Input Offset

2mV

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

Thickness

1.58mm

Power Dissipation

680mW

Voltage Gain

106.02dB

Operating Supply Current

1.4mA

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Lowbias

YES

Packing Method

TR

JESD-609 Kodu

e4

Neg Supply Voltagenom Vsup

-15V

Operating Supply Voltage

18V

Terminal Sayısı

8

Lowoffset

NO

Uzunluk

4.9mm

Genişlik

3.91mm

Terminal Kaplaması

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

Amplifier Type

J-FET

Kurşunsuz Kodu

yes

Max Io Voltage

3mV

Terminal Pozisyonu

DUAL

Fabrika Tedarik Süresi

6 Weeks

Yüzey Montaj

YES

Pin Sayısı

8

Parça Durumu

Active

Çalışma Sıcaklığı

0°C~70°C

Besleme Gerilimi

15V

Current Input Bias

30pA

Kurşunsuz

Lead Free

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Slew Rate

13V/μs

Nominal Gain Bandwidth Product

3MHz

Unity Gain Bwnom

3000 kHz

Bias Currentmax Iib25c

0.0002μA

Micropower

NO

Number Of Elements

1

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Frequency Compensation

YES

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)