Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -55 °C
- Moisture Sensitivity Levels
- 1
- Package Body Material
- PLASTIC/EPOXY
- Lifecycle Status
- Obsolete (Last Updated: 3 years ago)
- Diode Element Material
- SILICON
- Output Currentmax
- 1 A
- Max Reverse Leakage Current
- 10 µA
- Operating Temperaturemin
- -55 °C
- Diode Type
- BRIDGE RECTIFIER DIODE
- Additional Feature
- UL RECOGNIZED
- Terminal Pozisyonu
- SINGLE
- Breakdown Voltagemin
- 200 V
- Genişlik
- 3.9 mm
- RoHS
- Compliant
- Manufacturer Package Code
- KBP
- Part Life Cycle Code
- Not Recommended
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 150 °C
- Number Of Terminals
- 4
- REACH Uyumluluk Kodu
- unknown
- Number Of Phases
- 1
- Terminal Formu
- WIRE
- Ambalaj
- KBP
- Yükseklik
- 11.68 mm
- Rohs Code
- Yes
- Ihs Manufacturer
- TAIWAN SEMICONDUCTOR CO LTD
- Jesd30 Code
- R-PSIP-W4
- Nonrep Pk Forward Currentmax
- 30 A
- Üretici Parça No
- KBP103G
- Pin Sayısı
- 4
- Pin Sayısı
- 4
- Number Of Elements
- 4
- Uzunluk
- 15.24 mm
- ECCN Kodu
- EAR99
- HTS Kodu
- 8541.10.00.80
- Kapasitans
- IR - 10uA
- Risk Rank
- 5.77
- Max Surge Current
- 30 A
- Package Description
- R-PSIP-W4
- Package Style
- IN-LINE
- Gerilim
- VRRM - 200V