Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Moisture Sensitivity Levels
- 1
- Paket
- Tube
- Yükseklik
- 18.8 mm
- Çalışma Sıcaklığı
- -55°C ~ 150°C (TJ)
- Diode Element Material
- SILICON
- Operating Temperaturemin
- -55 °C
- Breakdown Voltagemin
- 200 V
- Manufacturer Lifecycle Status
- ACTIVE (Last Updated: 2 years ago)
- Part Life Cycle Code
- Active
- Yüzey Montaj
- NO
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Forward Voltage
- 1.1 V
- Forward Voltagemax Vf
- 1 V
- Max Reverse Leakage Current
- 5 µA
- Tedarikçi Cihaz Paketi
- GBU
- Pin Sayısı
- 4
- Current Reverse Leakage Vr
- 5 µA @ 200 V
- Qualification Status
- Not Qualified
- Max Forward Surge Current Ifsm
- 200 A
- Genişlik
- 3.56 mm
- Kapasitans
- IR - 5uA
- Operating Temperaturemax
- 150 °C
- Max Junction Temperature Tj
- 150 °C
- Terminal Formu
- THROUGH-HOLE
- Number Of Phases
- 1
- HTS Kodu
- 8541.10.00.80
- Configuration
- BRIDGE, 4 ELEMENTS
- Maks. Çalışma Sıcaklığı
- 150 °C
- Package Shape
- RECTANGULAR
- Package Description
- R-PSFM-T4
- Max Repetitive Reverse Voltage Vrrm
- 200 V
- Diode Type
- BRIDGE RECTIFIER DIODE
- ECCN Kodu
- EAR99
- Weight
- 4 g
- Additional Feature
- UL RECOGNIZED
- Max Surge Current
- 200 A
- Min. Çalışma Sıcaklığı
- -55 °C
- Jesd30 Code
- R-PSFM-T4
- Risk Rank
- 5.62
- Forward Current
- 8 A