Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Kılıf / Paket
- 18-DIP (0.300, 7.62mm)
- Output Voltage
- 50V
- Voltage Rated Dc
- 50V
- Emitter Base Voltage Vebo
- 30V
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 50V
- Collector Base Voltage Vcbo
- 30V
- Output Current
- 500mA
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Yükseklik
- 3.67mm
- Çalışma Sıcaklığı
- -40°C~105°C
- Max Power Dissipation
- 2.25W
- Pin Sayısı
- 18
- Transistor Element Material
- SILICON
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 1000 @ 350mA 2V
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Collectoremitter Saturation Voltage
- 1.1V
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Ambalaj
- Tube
- Genişlik
- 7.1mm
- Transistor Type
- 8 NPN Darlington
- Max Collector Current
- 500mA
- Continuous Collector Current
- 500mA
- Number Of Elements
- 8
- Akım Değeri
- 500mA
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Radyasyon Dayanımı
- No
- JESD-609 Kodu
- e3
- Parça Durumu
- Active
- Contact Plating
- Tin
- Transistor Application
- SWITCHING
- Fabrika Tedarik Süresi
- 15 Weeks
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 1.6V @ 500μA, 350mA
- Polarity
- NPN
- Uzunluk
- 23.24mm
- Temel Parça No
- ULQ2803
- Additional Feature
- LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- Vcesatmax
- 1.6 V
- Terminal Sayısı
- 18
- ECCN Kodu
- EAR99
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors