
Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Çalışma Sıcaklığı
- -20°C~150°C TJ
- Yükseklik
- 3.68mm
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 50V
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Output Current
- 500mA
- Transistor Element Material
- SILICON
- Pin Sayısı
- 18
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 1000 @ 350mA 2V
- Max Power Dissipation
- 2.25W
- Collectoremitter Saturation Voltage
- 1.1V
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Output Voltage
- 50V
- Kılıf / Paket
- 18-DIP (0.300, 7.62mm)
- Voltage Rated Dc
- 50V
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 50V
- Reach Svhc
- No SVHC
- Uzunluk
- 23.24mm
- Polarity
- NPN
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 1.6V @ 500μA, 350mA
- Fabrika Tedarik Süresi
- 15 Weeks
- Weight
- 1.270087g
- ECCN Kodu
- EAR99
- Temel Parça No
- ULN2802
- Terminal Sayısı
- 18
- Terminal Kaplaması
- Tin (Sn)
- Vcesatmax
- 1.6 V
- Montaj
- Through Hole
- Pin Sayısı
- 18
- Configuration
- COMPLEX
- Genişlik
- 7.1mm
- Transistor Type
- 8 NPN Darlington
- Max Collector Current
- 500mA
- Ambalaj
- Tube
- Number Of Elements
- 8
- Continuous Collector Current
- 500mA
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Akım Değeri
- 500mA
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors

