STX616-AP

Teknik Özellikler

Vce Saturation Max Ib Ic

1V @ 200mA, 1A

Power Dissipation

2.8W

Max Power Dissipation

2.8W

Pin Sayısı

3

Montaj

Through Hole

Max Breakdown Voltage

500V

Contact Plating

Tin

Max Collector Current

1.5A

Emitter Base Voltage Vebo

12V

Hfemin

4

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kılıf / Paket

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Collectoremitter Saturation Voltage

1V

Pin Sayısı

3

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Radyasyon Dayanımı

No

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Transistor Application

SWITCHING

Transistor Type

NPN

Montaj Tipi

Through Hole

Element Configuration

Single

Collector Emitter Voltage Vceo

500V

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Yükseklik

4.95mm

ECCN Kodu

EAR99

Parça Durumu

Active

Max Junction Temperature Tj

150°C

Ambalaj

Tape & Box (TB)

Terminal Sayısı

3

Collectoremitter Breakdown Voltage

500V

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

Temel Parça No

STX616

Transistor Element Material

SILICON

Number Of Elements

1

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Polaritychannel Type

NPN

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

12 @ 500mA 5V

Current Collector Cutoff Max

50μA

Kurşunsuz

Lead Free