STS9D8NH3LL

Teknik Özellikler

Avalanche Energy Rating Eas

150 mJ

Fet Type

2 N-Channel (Dual)

Temel Parça No

STS9D8

Turn Off Delay Time

18 ns

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Number Of Elements

2

Drain Currentmax Abs Id

8A

Pin Sayısı

8

Continuous Drain Current Id

9A

Parça Durumu

Obsolete

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Montaj Tipi

Surface Mount

Kurşunsuz

Lead Free

Terminal Kaplaması

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

Power Dissipation

2W

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Input Capacitance Ciss Max Vds

857pF @ 25V

Rise Time

32ns

Max Power Dissipation

2W

Rds On Max Id Vgs

22m Ω @ 4A, 10V

Current Continuous Drain Id25

8A 9A

Radyasyon Dayanımı

No

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Pin Sayısı

8

Gate Charge Qg Max Vgs

10nC @ 4.5V

Direnç

22MOhm

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Terminal Sayısı

8

Seri

STripFET™

Transistor Application

SWITCHING

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Fall Time Typ

8.5 ns

JESD-609 Kodu

e4

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Fet Feature

Logic Level Gate

Terminal Formu

GULL WING

Transistor Element Material

SILICON