STS8DNH3LL

Teknik Özellikler

JESD-609 Kodu

e4

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Fall Time Typ

8 ns

Gate To Source Voltage Vgs

16V

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Element Material

SILICON

Vgsth Max Id

1V @ 250μA

Montaj

Surface Mount

Qualification Status

Not Qualified

Fet Feature

Logic Level Gate

Terminal Formu

GULL WING

Akım Değeri

8A

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Direnç

22mOhm

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Pin Sayısı

8

Gate Charge Qg Max Vgs

10nC @ 4.5V

Rds On Max Id Vgs

22m Ω @ 4A, 10V

Max Power Dissipation

2W

Rise Time

14.5ns

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Sayısı

8

Seri

STripFET™ III

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Continuous Drain Current Id

8A

Parça Durumu

Obsolete

Kurşunsuz Kodu

yes

Power Dissipation

2W

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Input Capacitance Ciss Max Vds

857pF @ 25V

Terminal Kaplaması

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

Montaj Tipi

Surface Mount

Kurşunsuz

Lead Free

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Turn Off Delay Time

23 ns

Temel Parça No

STS8DN