STS8DNF3LL

Teknik Özellikler

Gate To Source Voltage Vgs

16V

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Element Material

SILICON

JESD-609 Kodu

e4

Yükseklik

6.35mm

Transistor Application

SWITCHING

Seri

STripFET™ II

Weight

4.535924g

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Direnç

20mOhm

Uzunluk

12.7mm

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Gate Charge Qg Max Vgs

17nC @ 5V

Rds On Max Id Vgs

20m Ω @ 4A, 10V

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Power Dissipation

2W

Montaj Tipi

Surface Mount

Number Of Elements

2

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Turn On Delay Time

18 ns

Montaj

Surface Mount

Vgsth Max Id

1V @ 250μA

Fet Feature

Logic Level Gate

Terminal Formu

GULL WING

Akım Değeri

8A

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Fall Time Typ

11 ns

Genişlik

6.35mm

Terminal Sayısı

8

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

8

Max Power Dissipation

1.6W

Rise Time

32ns

Input Capacitance Ciss Max Vds

800pF @ 25V

Terminal Kaplaması

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

Kurşunsuz

Lead Free