STS8C5H30L

Teknik Özellikler

Number Of Elements

2

Drain To Source Breakdown Voltage

30V

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Power Dissipation

2W

Montaj Tipi

Surface Mount

Yükseklik

1.25mm

Transistor Application

SWITCHING

Seri

STripFET™ III

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Uzunluk

5mm

Direnç

22MOhm

Current Continuous Drain Id25

8A 5.4A

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Gate Charge Qg Max Vgs

10nC @ 5V

Rds On Max Id Vgs

22m Ω @ 4A, 10V

Gate To Source Voltage Vgs

16V

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Element Material

SILICON

JESD-609 Kodu

e3

Reach Svhc

No SVHC

Drain Currentmax Abs Id

8A

Terminal Pozisyonu

DUAL

Pin Sayısı

8

Turn Off Delay Time

125 ns

Temel Parça No

STS8C5

Fet Type

N and P-Channel

Input Capacitance Ciss Max Vds

857pF @ 25V

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Kurşunsuz

Lead Free

Lifecycle Status

NRND (Last Updated: 8 months ago)

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Threshold Voltage

1.6V

Continuous Drain Current Id

8A

Parça Durumu

Active

Terminal Sayısı

8

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

8

Rise Time

35ns