STS3C2F100

Teknik Özellikler

Fall Time Typ

7.5 ns

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Polaritychannel Type

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

JESD-609 Kodu

e4

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Akım Değeri

3A

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Terminal Formu

GULL WING

Fet Feature

Logic Level Gate

Vgsth Max Id

2V @ 250μA

Montaj

Surface Mount

Transistor Element Material

SILICON

ECCN Kodu

EAR99

Configuration

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Drainsource On Resistancemax

0.145Ohm

Rise Time

20ns

Max Power Dissipation

2W

Rds On Max Id Vgs

145m Ω @ 1.5A, 10V

Gate Charge Qg Max Vgs

20nC @ 10V

Pin Sayısı

8

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Radyasyon Dayanımı

No

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Seri

STripFET™

Terminal Sayısı

8

Transistor Application

SWITCHING

Continuous Drain Current Id

3A

Parça Durumu

Obsolete

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Kurşunsuz

Lead Free

Montaj Tipi

Surface Mount

Terminal Kaplaması

NICKEL PALLADIUM GOLD

Input Capacitance Ciss Max Vds

460pF @ 25V

Kılıf / Paket

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Power Dissipation

2W

Fet Type

N and P-Channel

Voltage Rated Dc

100V