STN83003

Teknik Özellikler

Radyasyon Dayanımı

No

Kılıf / Paket

TO-261-4, TO-261AA

Transistor Type

NPN

Collectoremitter Breakdown Voltage

400V

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Reach Svhc

No SVHC

Current Collector Cutoff Max

1mA

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Transistor Element Material

SILICON

JESD-609 Kodu

e3

Terminal Formu

GULL WING

Montaj Tipi

Surface Mount

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

16 @ 350mA 5V

Power Dissipation

1.6W

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 2 weeks ago)

Yükseklik

1.8mm

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Pin Sayısı

4

Vce Saturation Max Ib Ic

500mV @ 100mA, 500mA

Genişlik

3.5mm

Parça Durumu

Active

Collectoremitter Saturation Voltage

1V

Montaj

Surface Mount

Terminal Sayısı

4

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Max Collector Current

1.5A

Transistor Application

SWITCHING

Max Breakdown Voltage

400V

Kurşunsuz

Lead Free

Element Configuration

Single

Max Power Dissipation

1.6W

Ambalaj

Cut Tape (CT)

Polaritychannel Type

NPN

Jesd30 Code

R-PDSO-G4

Pin Sayısı

3

Uzunluk

6.5mm

Terminal Pozisyonu

DUAL

Case Connection

COLLECTOR