STGB6NC60HDT4

Teknik Özellikler

Turn Off Delay Time

98 ns

Uzunluk

10.4mm

Akım Değeri

15A

Voltage Rated Dc

600V

Giriş Tipi

Standard

Max Power Dissipation

56W

Current Collector Pulsed Icm

21A

Max Breakdown Voltage

600V

Terminal Kaplaması

MATTE TIN

Vceon Max Vge Ic

2.5V @ 15V, 3A

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Genişlik

9.35mm

Temel Parça No

STGB6

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

245

Reverse Recovery Time

21 ns

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Transistor Element Material

SILICON

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Gate Charge

13.6nC

Weight

2.240009g

JESD-609 Kodu

e3

Switching Energy

20μJ (on), 68μJ (off)

Gateemitter Voltagemax

20V

Collectoremitter Saturation Voltage

2.7V

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~150°C TJ

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Turn Off Timenom Toff

222 ns

Turn On Delay Time

13 ns

ECCN Kodu

EAR99

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Collector Emitter Voltage Vceo

600V

Test Conditions

390V, 3A, 10 Ω, 15V

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Number Of Elements

1

Continuous Collector Current

12A

Transistor Application

POWER CONTROL

Element Configuration

Single

Collectoremitter Breakdown Voltage

600V

Yükseklik

4.6mm

Pin Sayısı

3