STGB20NB37LZT4

Teknik Özellikler

Max Breakdown Voltage

425V

Giriş Tipi

Standard

Max Power Dissipation

200W

Current Collector Pulsed Icm

80A

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Turn Off Delay Time

2 μs

Akım Değeri

20A

Transistor Element Material

SILICON

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Gate Charge

51nC

Vceon Max Vge Ic

2V @ 4.5V, 20A

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Temel Parça No

STGB20

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

245

Collector Emitter Voltage Vceo

375V

Number Of Elements

1

Test Conditions

250V, 20A, 1k Ω, 4.5V

Transistor Application

POWER CONTROL

Element Configuration

Single

Turn On Time

2900 ns

Continuous Drain Current Id

20A

Case Connection

COLLECTOR

Collectoremitter Breakdown Voltage

425V

Gateemitter Thr Voltagemax

2V

Pin Sayısı

3

JESD-609 Kodu

e3

Switching Energy

11.8mJ (off)

Collectoremitter Saturation Voltage

2V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Turn Off Timenom Toff

15000 ns

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~175°C TJ

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

ECCN Kodu

EAR99

Turn On Delay Time

2.3 μs

Max Collector Current

40A

Terminal Formu

GULL WING

Pin Sayısı

3

Terminal Sayısı

2

Radyasyon Dayanımı

No

Polaritychannel Type

N-CHANNEL