Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- 1 (Unlimited)
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 500mV @ 1A, 4A
- JESD-609 Kodu
- e3
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 400V
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Kurşunsuz
- Lead Free
- Parça Durumu
- Obsolete
- Transistor Type
- 2 NPN (Dual)
- Collectoremitter Saturation Voltage
- 500mV
- Polarity
- NPN
- Element Configuration
- Dual
- Pin Sayısı
- 8
- Max Power Dissipation
- 3W
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Radyasyon Dayanımı
- No
- Collector Base Voltage Vcbo
- 700V
- Pin Sayısı
- 8
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Montaj
- Through Hole
- ECCN Kodu
- EAR99
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 12 @ 2A 5V
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn) - annealed
- Ambalaj
- Tube
- Transistor Element Material
- SILICON
- Kılıf / Paket
- 8-DIP (0.300, 7.62mm)
- Hfemin
- 10
- Number Of Elements
- 2
- Power Max
- 3W
- Temel Parça No
- STD845
- Kurşunsuz Kodu
- yes
- Transistor Application
- SWITCHING
- Max Collector Current
- 4A
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 400V
- Terminal Sayısı
- 8
- Current Collector Cutoff Max
- 250μA
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors