Fiyat için teklif alın
Adet ve teslim süresine göre fiyatlandırılır.
Sevkiyat
Stoktan aynı gün hazırlık
Orijinal ürün
Doğrulanmış tedarik
RoHS
Compliant
Destek
Teknik ekip desteği
Teknik Özellikler
- Power Max
- 3W
- Number Of Elements
- 2
- Jesd30 Code
- R-PDIP-T8
- Temel Parça No
- STD830
- Collectoremitter Breakdown Voltage
- 400V
- Terminal Sayısı
- 8
- Current Collector Cutoff Max
- 100μA
- Transistor Application
- SWITCHING
- Max Collector Current
- 3A
- RoHS Durumu
- ROHS3 Compliant
- Montaj
- Through Hole
- Terminal Kaplaması
- Matte Tin (Sn) - annealed
- Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce
- 18 @ 700mA 5V
- ECCN Kodu
- EAR99
- Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)
- NOT SPECIFIED
- Tepe Reflow Süresi (maks. sn)
- NOT SPECIFIED
- Ambalaj
- Tube
- HTS Kodu
- 8541.29.00.95
- Transistor Element Material
- SILICON
- Kılıf / Paket
- 8-DIP (0.300, 7.62mm)
- Transistor Type
- NPN, PNP
- Parça Durumu
- Obsolete
- Pin Sayısı
- 8
- Montaj Tipi
- Through Hole
- Configuration
- SEPARATE, 2 ELEMENTS
- Max Power Dissipation
- 3W
- Vce Saturation Max Ib Ic
- 500mV @ 200mA, 1A
- Nem Hassasiyeti (MSL)
- Not Applicable
- Collector Emitter Voltage Vceo
- 500mV
- Terminal Pozisyonu
- DUAL
- JESD-609 Kodu
- e3
- Qualification Status
- Not Qualified
- Çalışma Sıcaklığı
- 150°C TJ
- Polaritychannel Type
- NPN AND PNP
İlgili Ürünler
Echelon Corporation
15400R-57B
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15401R-47BP
Arrays BJT Transistors
Echelon Corporation
15402R-47B
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060A
Arrays BJT Transistors
Microsemi Corporation
2N2060L
Arrays BJT Transistors
Central Semiconductor Corp
2N2060M
Arrays BJT Transistors
Seme LAB
2N2223
Arrays BJT Transistors