STBV42-AP

Teknik Özellikler

Hfemin

10

Temel Parça No

STBV42

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

10 @ 400mA 5V

Collector Emitter Voltage Vceo

400V

Collectoremitter Breakdown Voltage

400V

Number Of Elements

1

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Pin Sayısı

3

Parça Durumu

Active

Max Collector Current

1A

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Montaj Tipi

Through Hole

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Emitter Base Voltage Vebo

9V

Kılıf / Paket

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Power Dissipation

1W

Max Power Dissipation

1W

Pin Sayısı

3

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Element Configuration

Single

Vce Saturation Max Ib Ic

1.5V @ 250mA, 750mA

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Transistor Type

NPN

Terminal Sayısı

3

Transistor Application

SWITCHING

Collectoremitter Saturation Voltage

400mV

Ambalaj

Tape & Box (TB)

Polaritychannel Type

NPN

Current Collector Cutoff Max

1mA

JESD-609 Kodu

e3

Max Breakdown Voltage

400V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Transistor Element Material

SILICON

Montaj

Through Hole

Qualification Status

Not Qualified

ECCN Kodu

EAR99