STBV32G

Teknik Özellikler

Transistor Element Material

SILICON

Montaj

Through Hole

Qualification Status

Not Qualified

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

JESD-609 Kodu

e3

Ambalaj

Bulk

Polaritychannel Type

NPN

Continuous Collector Current

1.5A

Current Collector Cutoff Max

1mA

Transistor Type

NPN

Terminal Sayısı

3

Jesd30 Code

O-PBCY-T3

Transistor Application

SWITCHING

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Element Configuration

Single

Vce Saturation Max Ib Ic

1.5V @ 500mA, 1.5A

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Pin Sayısı

3

Max Power Dissipation

1.5W

Power Dissipation

1.5W

Kılıf / Paket

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Montaj Tipi

Through Hole

Kurşunsuz

Lead Free

Emitter Base Voltage Vebo

9V

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Max Collector Current

1.5A

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Parça Durumu

Obsolete

Collectoremitter Breakdown Voltage

400V

Number Of Elements

1

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

5 @ 1A 2V

Collector Emitter Voltage Vceo

1.5V

Hfemin

20

Temel Parça No

STBV32