STB13007DT4

Teknik Özellikler

JESD-609 Kodu

e3

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Max Collector Current

8A

Manufacturer Package Identifier

TO-263-P011P6

Parça Durumu

Active

Max Junction Temperature Tj

150°C

Transistor Type

NPN

Emitter Base Voltage Vebo

9V

Akım Değeri

8A

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

8 @ 5A 5V

Power Dissipation

80W

Polaritychannel Type

NPN

ECCN Kodu

EAR99

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

245

Pin Sayısı

4

Pin Sayısı

3

Montaj

Surface Mount

Kılıf / Paket

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Kurşunsuz

Lead Free

Collector Base Voltage Vcbo

700V

Vce Saturation Max Ib Ic

3V @ 1A, 5A

Collector Emitter Voltage Vceo

400V

Current Collector Cutoff Max

100μA

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Hfemin

8

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Yükseklik

4.83mm

Voltage Rated Dc

400V

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Terminal Sayısı

2

Transistor Application

SWITCHING

Contact Plating

Tin

Terminal Formu

GULL WING

Transistor Element Material

SILICON

Number Of Elements

1

Element Configuration

Single

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Radyasyon Dayanımı

No