SO692

Teknik Özellikler

Hfemin

40

Radyasyon Dayanımı

No

Polaritychannel Type

PNP

Max Collector Current

100mA

Terminal Formu

GULL WING

Gain Bandwidth Product

50MHz

Transistor Element Material

SILICON

Emitter Base Voltage Vebo

-5V

ECCN Kodu

EAR99

Voltage Rated Dc

-300V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Collectoremitter Breakdown Voltage

300V

HTS Kodu

8541.21.00.95

Pin Sayısı

3

Temel Parça No

SO692

Max Power Dissipation

310mW

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Collector Base Voltage Vcbo

300V

Montaj Tipi

Surface Mount

Montaj

Surface Mount

Kurşunsuz Kodu

yes

Terminal Pozisyonu

DUAL

Power Max

310mW

Transistor Type

PNP

Transition Frequency

50MHz

JESD-609 Kodu

e3

Akım Değeri

-100mA

Transistor Application

SWITCHING

Terminal Sayısı

3

Number Of Elements

1

Collector Emitter Voltage Vceo

300V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Element Configuration

Single

Kılıf / Paket

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Parça Durumu

Obsolete

Pin Sayısı

3

Vce Saturation Max Ib Ic

500mV @ 2mA, 20mA

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

25 @ 30mA 10V

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ