PD85025TR-E

Teknik Özellikler

Number Of Elements

1

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65°C

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Drain To Source Breakdown Voltage

40V

Gain

17.3dB

Maks. Çalışma Sıcaklığı

165°C

Continuous Drain Current Id

7A

Terminal Formu

GULL WING

Voltage Test

13.6V

Terminal Pozisyonu

DUAL

Drain To Source Voltage Vdss

40V

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Power Dissipation

79W

Qualification Status

Not Qualified

Pin Sayısı

10

Pin Sayısı

3

Max Output Power

30W

Terminal Sayısı

2

Montaj

Surface Mount

JESD-609 Kodu

e3

Transistor Application

AMPLIFIER

Temel Parça No

PD85025

Case Connection

SOURCE

Fabrika Tedarik Süresi

25 Weeks

Kılıf / Paket

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

Akım Değeri

7A

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

NOT SPECIFIED

Transistor Type

LDMOS

Current Test

300mA

Element Configuration

Single

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Power Output

10W

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Gate To Source Voltage Vgs

15V

ECCN Kodu

EAR99

Parça Durumu

Active