PD85006TR-E

Teknik Özellikler

Current Test

200mA

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn) - annealed

Element Configuration

Single

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Power Output

5W

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Case Connection

SOURCE

Temel Parça No

PD85006

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

250

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Akım Değeri

2A

Kılıf / Paket

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

Transistor Type

LDMOS

Additional Feature

HIGH RELIABILITY

Jesd30 Code

R-PDSO-G2

Frekans

870MHz

Parça Durumu

Discontinued

Drain Currentmax Abs Id

2A

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Max Power Dissipation

36.5W

Gate To Source Voltage Vgs

15V

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

ECCN Kodu

EAR99

Drain To Source Breakdown Voltage

40V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Gain

17dB

Maks. Çalışma Sıcaklığı

150°C

Terminal Formu

GULL WING

Continuous Drain Current Id

2A

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Number Of Elements

1

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65°C

Terminal Sayısı

2

Transistor Application

AMPLIFIER

JESD-609 Kodu

e3

Montaj

Surface Mount

Drain To Source Voltage Vdss

40V

Terminal Pozisyonu

DUAL

Voltage Test

13.6V

Power Dissipation

36.5W