PD85006-E

Teknik Özellikler

Current Test

200mA

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn) - annealed

Element Configuration

Single

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Fabrika Tedarik Süresi

11 Weeks

Case Connection

SOURCE

Temel Parça No

PD85006

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

250

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Akım Değeri

2A

Kılıf / Paket

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

Transistor Type

LDMOS

Additional Feature

HIGH RELIABILITY

Frekans

870MHz

Jesd30 Code

R-PDSO-G2

Parça Durumu

Active

Drain Currentmax Abs Id

2A

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Max Power Dissipation

36.5W

Gate To Source Voltage Vgs

15V

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

ECCN Kodu

EAR99

Drain To Source Breakdown Voltage

40V

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Gain

17dB

Maks. Çalışma Sıcaklığı

165°C

Terminal Formu

GULL WING

Continuous Drain Current Id

2A

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Number Of Elements

1

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65°C

Max Output Power

6W

Terminal Sayısı

2

Transistor Application

AMPLIFIER

JESD-609 Kodu

e3

Montaj

Surface Mount

Drain To Source Voltage Vdss

40V

Terminal Pozisyonu

DUAL