PD57070-E

Teknik Özellikler

Fabrika Tedarik Süresi

11 Weeks

Case Connection

SOURCE

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65°C

Jesd30 Code

R-PDSO-G2

Voltage Test

28V

Transistor Application

AMPLIFIER

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Continuous Drain Current Id

7A

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn) - annealed

Pin Sayısı

10

Terminal Formu

GULL WING

Current Test

250mA

Gain

14.7dB

Terminal Sayısı

2

Parça Durumu

Active

Maks. Çalışma Sıcaklığı

165°C

Drain To Source Breakdown Voltage

65V

JESD-609 Kodu

e3

Element Configuration

Single

Number Of Elements

1

Kılıf / Paket

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

Ambalaj

Tube

Temel Parça No

PD57070

Transistor Type

LDMOS

Max Output Power

70W

Qualification Status

Not Qualified

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Pin Sayısı

3

Drain To Source Voltage Vdss

65V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Drain Currentmax Abs Id

7A

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Usage Level

Military grade

Montaj

Surface Mount

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

250

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Akım Değeri

7A