PD57006STR-E

Teknik Özellikler

Transistor Application

AMPLIFIER

Continuous Drain Current Id

1A

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

NOT SPECIFIED

Fabrika Tedarik Süresi

25 Weeks

Voltage Test

28V

Jesd30 Code

R-PDSO-F2

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65°C

Case Connection

SOURCE

Maks. Çalışma Sıcaklığı

165°C

Drain To Source Breakdown Voltage

65V

Kılıf / Paket

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)

Number Of Elements

1

Element Configuration

Single

JESD-609 Kodu

e4

Current Test

70mA

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Kaplaması

NICKEL PALLADIUM GOLD

Terminal Formu

FLAT

Pin Sayısı

10

Terminal Sayısı

2

Parça Durumu

Active

Gain

15dB

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Drain Currentmax Abs Id

1A

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Qualification Status

Not Qualified

Max Output Power

6W

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Transistor Type

LDMOS

Temel Parça No

PD57006

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Pin Sayısı

3

Drain To Source Voltage Vdss

65V

Power Dissipation

20W

Terminal Pozisyonu

DUAL

Max Power Dissipation

20W

Frekans

945MHz

Akım Değeri

1A