PD57002-E

Teknik Özellikler

Case Connection

SOURCE

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65°C

Jesd30 Code

R-PDSO-G2

Voltage Test

28V

Transistor Application

AMPLIFIER

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Continuous Drain Current Id

250mA

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn) - annealed

Pin Sayısı

10

Terminal Formu

GULL WING

Current Test

10mA

Terminal Sayısı

2

Parça Durumu

Obsolete

Kurşunsuz

Lead Free

Maks. Çalışma Sıcaklığı

165°C

Drain To Source Breakdown Voltage

65V

Element Configuration

Single

JESD-609 Kodu

e3

Number Of Elements

1

Kılıf / Paket

PowerSO-10 Exposed Bottom Pad

Ambalaj

Tube

Temel Parça No

PD57002

Transistor Type

LDMOS

Max Output Power

2W

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Pin Sayısı

3

Drain To Source Voltage Vdss

65V

Additional Feature

HIGH RELIABILITY

Power Gain

15dB

Radyasyon Dayanımı

No

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Drain Currentmax Abs Id

0.25A

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

Min Breakdown Voltage

65V

Montaj

Surface Mount

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

250

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE