PD55035-E

Teknik Özellikler

Jesd30 Code

R-PDSO-G2

Voltage Test

12.5V

Min. Çalışma Sıcaklığı

-65°C

Case Connection

SOURCE

Transistor Application

AMPLIFIER

Continuous Drain Current Id

7A

Nem Hassasiyeti (MSL)

3 (168 Hours)

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Current Test

200mA

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Terminal Formu

GULL WING

Pin Sayısı

10

Parça Durumu

Obsolete

Terminal Sayısı

2

Maks. Çalışma Sıcaklığı

165°C

Drain To Source Breakdown Voltage

40V

Kılıf / Paket

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

Number Of Elements

1

Element Configuration

Single

JESD-609 Kodu

e3

Max Output Power

35W

Ambalaj

Tube

Temel Parça No

PD55035

Transistor Type

LDMOS

Power Gain

16.9dB

Additional Feature

HIGH RELIABILITY

Fet Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Gate To Source Voltage Vgs

20V

Pin Sayısı

3

Drain To Source Voltage Vdss

40V

Drain Currentmax Abs Id

7A

Polaritychannel Type

N-CHANNEL

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Radyasyon Dayanımı

No

Frekans

500MHz

Akım Değeri

7A

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

250

Montaj

Surface Mount

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE