MJE172

Teknik Özellikler

Pin Sayısı

3

Power Dissipation

12.5W

Genişlik

2.9mm

Max Collector Current

3A

Transistor Element Material

SILICON

JESD-609 Kodu

e3

Kurşunsuz Kodu

yes

Radyasyon Dayanımı

No

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Current Collector Cutoff Max

100nA ICBO

Pin Sayısı

3

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

ECCN Kodu

EAR99

Collectoremitter Breakdown Voltage

80V

Transition Frequency

50MHz

Akım Değeri

-3A

Collectoremitter Saturation Voltage

1.7V

Hfemin

50

Reach Svhc

No SVHC

Case Connection

ISOLATED

Weight

4.535924g

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

50 @ 100mA 1V

Element Configuration

Single

Collector Emitter Voltage Vceo

80V

Voltage Rated Dc

-100V

Collector Base Voltage Vcbo

100V

Temel Parça No

MJE172

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

240

Yükseklik

11.05mm

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Montaj

Through Hole

Terminal Sayısı

3

Collectorbase Capacitancemax

60pF

Kılıf / Paket

TO-225AA, TO-126-3

Max Breakdown Voltage

32V

HTS Kodu

8541.29.00.75

Polaritychannel Type

PNP

Emitter Base Voltage Vebo

7V

Transistor Type

PNP