MJD45H11T4

Teknik Özellikler

Terminal Formu

GULL WING

Transition Frequency

40MHz

Collectoremitter Breakdown Voltage

-80V

ECCN Kodu

EAR99

Akım Değeri

-8A

Uzunluk

6.6mm

Current Collector Cutoff Max

10μA

Vcesatmax

1 V

Pin Sayısı

3

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Polaritychannel Type

PNP

Transistor Type

PNP

Radyasyon Dayanımı

No

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Transistor Element Material

SILICON

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Max Breakdown Voltage

80V

JESD-609 Kodu

e3

Max Collector Current

8A

Genişlik

6.2mm

Power Dissipation

20W

Terminal Sayısı

2

Montaj

Surface Mount

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Contact Plating

Tin

Yükseklik

2.4mm

Vce Saturation Max Ib Ic

1V @ 400mA, 8A

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Collector Base Voltage Vcbo

80V

Montaj Tipi

Surface Mount

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Temel Parça No

MJD45

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

40 @ 4A 1V

Voltage Rated Dc

-80V

Collector Emitter Voltage Vceo

80V

Element Configuration

Single

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Max Power Dissipation

20W