MJD44H11T4-A

Teknik Özellikler

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Radyasyon Dayanımı

No

Jedec95 Code

TO-252AA

Transistor Type

NPN

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Polaritychannel Type

NPN

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Formu

GULL WING

Collectoremitter Breakdown Voltage

80V

Current Collector Cutoff Max

10μA

Pin Sayısı

3

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn) - annealed

Max Collector Current

8A

Pin Sayısı

3

Power Dissipation

20W

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Transistor Element Material

SILICON

JESD-609 Kodu

e3

Max Breakdown Voltage

80V

Temel Parça No

MJD44

Montaj Tipi

Surface Mount

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

40 @ 4A 1V

Collector Emitter Voltage Vceo

80V

Configuration

SINGLE

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Montaj

Surface Mount

Terminal Sayısı

2

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Vce Saturation Max Ib Ic

1V @ 400mA, 8A

Number Of Elements

1

Max Power Dissipation

20W

Kurşunsuz

Lead Free

Ambalaj

Cut Tape (CT)

Parça Durumu

Active

Transistor Application

SWITCHING

Case Connection

COLLECTOR

Terminal Pozisyonu

SINGLE