MJD32CT4

Teknik Özellikler

Weight

4.535924g

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

10 @ 3A 4V

Collector Emitter Voltage Vceo

100V

Element Configuration

Single

Voltage Rated Dc

-100V

Collector Base Voltage Vcbo

100V

Temel Parça No

MJD32

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Yükseklik

2.4mm

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Montaj

Surface Mount

Terminal Sayısı

2

Collectoremitter Saturation Voltage

-1.2V

Hfemin

20

Reach Svhc

No SVHC

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Case Connection

COLLECTOR

Radyasyon Dayanımı

No

Jedec95 Code

TO-252AA

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Current Collector Cutoff Max

50μA

Pin Sayısı

3

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Formu

GULL WING

Collectoremitter Breakdown Voltage

100V

Akım Değeri

-3A

Pin Sayısı

3

Genişlik

6.2mm

Power Dissipation

15W

Max Collector Current

3A

Transistor Element Material

SILICON

JESD-609 Kodu

e3

Montaj Tipi

Surface Mount

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Contact Plating

Tin

Vce Saturation Max Ib Ic

1.2V @ 375mA, 3A

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Parça Durumu

Active

Transistor Application

SWITCHING