MJD31CT4

Teknik Özellikler

Jesd30 Code

R-PSSO-G2

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Max Breakdown Voltage

100V

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Transistor Type

NPN

Polaritychannel Type

PNP

Uzunluk

6.6mm

Number Of Elements

1

Max Power Dissipation

15W

Kurşunsuz

Lead Free

Ambalaj

Tape & Reel (TR)

Parça Durumu

Active

Transistor Application

SWITCHING

Montaj Tipi

Surface Mount

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Contact Plating

Tin

Vce Saturation Max Ib Ic

1.2V @ 375mA, 3A

Max Collector Current

3A

Pin Sayısı

3

Power Dissipation

15W

Genişlik

6.2mm

Transistor Element Material

SILICON

JESD-609 Kodu

e3

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Radyasyon Dayanımı

No

Collectoremitter Breakdown Voltage

100V

Terminal Formu

GULL WING

ECCN Kodu

EAR99

Akım Değeri

3A

Current Collector Cutoff Max

50μA

Pin Sayısı

3

Reach Svhc

No SVHC

Collectoremitter Saturation Voltage

1.2V

Hfemin

20

Case Connection

COLLECTOR

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Collector Base Voltage Vcbo

100V

Temel Parça No

MJD31

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

10 @ 3A 4V

Weight

4.535924g