MJD31C

Teknik Özellikler

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

10 @ 3A 4V

Element Configuration

Single

Collector Emitter Voltage Vceo

100V

Voltage Rated Dc

100V

Collector Base Voltage Vcbo

100V

Temel Parça No

MJD31

Montaj Tipi

Surface Mount

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Vce Saturation Max Ib Ic

1.2V @ 375mA, 3A

Montaj

Surface Mount

Terminal Sayısı

2

Ambalaj

Tube

Parça Durumu

Obsolete

Hfemin

20

Transistor Application

SWITCHING

Number Of Elements

1

Max Power Dissipation

15W

Kurşunsuz

Lead Free

Case Connection

COLLECTOR

Radyasyon Dayanımı

No

Transistor Type

NPN

Polaritychannel Type

NPN

Emitter Base Voltage Vebo

5V

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Current Collector Cutoff Max

50μA

Pin Sayısı

3

Vcesatmax

1.2 V

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Formu

GULL WING

Collectoremitter Breakdown Voltage

100V

Akım Değeri

3A

Pin Sayısı

3

Power Dissipation

1.56W

Max Collector Current

3A

Kılıf / Paket

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Transistor Element Material

SILICON

JESD-609 Kodu

e3

Jesd30 Code

R-PSSO-G2