MJD122-1

Teknik Özellikler

Terminal Sayısı

3

Montaj

Through Hole

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Vce Saturation Max Ib Ic

4V @ 80mA, 8A

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Montaj Tipi

Through Hole

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Temel Parça No

MJD122

Collector Base Voltage Vcbo

100V

Collector Emitter Voltage Vceo

100V

Element Configuration

Single

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

1000 @ 4A 4V

Case Connection

COLLECTOR

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Kurşunsuz

Lead Free

Max Power Dissipation

20W

Number Of Elements

1

Transistor Application

SWITCHING

Hfemin

100

Collectoremitter Saturation Voltage

2V

Ambalaj

Bulk

Parça Durumu

Active

Polarity

NPN

Collectoremitter Breakdown Voltage

100V

ECCN Kodu

EAR99

Terminal Kaplaması

Tin (Sn)

Current Collector Cutoff Max

10μA

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Transistor Type

NPN - Darlington

Radyasyon Dayanımı

No

Jesd30 Code

R-PSIP-T3

Max Breakdown Voltage

100V

JESD-609 Kodu

e3

Transistor Element Material

SILICON

Kılıf / Paket

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Max Collector Current

8A

Power Dissipation

20W

Pin Sayısı

3