MJ11016

Teknik Özellikler

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Ambalaj

Tray

Tepe Reflow Süresi (maks. sn)

30

Qualification Status

Not Qualified

Power Dissipation

200 W

Yayın Yılı

2008

Çalışma Sıcaklığı

-55°C~200°C TJ

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

1000 @ 20A 5V

Vce Saturation Max Ib Ic

4V @ 300mA, 30A

Parça Durumu

Obsolete

Pin Sayısı

2

Kurşunsuz

Contains Lead

Collector Emitter Voltage Vceo

4V

RoHS Durumu

Non-RoHS Compliant

Number Of Elements

1

Kılıf / Paket

TO-204AA, TO-3

Element Configuration

Single

Case Connection

COLLECTOR

Akım Değeri

30A

RoHS

Non-Compliant

JESD-609 Kodu

e0

Transistor Type

NPN - Darlington

Transition Frequency

4MHz

Terminal Sayısı

2

Transistor Application

AMPLIFIER

Montaj Tipi

Through Hole

Polarity

NPN

Continuous Collector Current

30A

Collector Base Voltage Vcbo

120V

Current Collector Cutoff Max

1mA

Terminal Pozisyonu

BOTTOM

REACH Uyumluluk Kodu

not_compliant

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

240

Collectoremitter Breakdown Voltage

120V

Max Power Dissipation

200W

Pin Sayısı

2

Transistor Element Material

SILICON

Voltage Rated Dc

120V

Emitter Base Voltage Vebo

5V

ECCN Kodu

EAR99