BULT118

Teknik Özellikler

Vce Saturation Max Ib Ic

1.5V @ 400mA, 2A

Radyasyon Dayanımı

No

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

HTS Kodu

8541.29.00.95

Ambalaj

Tube

Polaritychannel Type

NPN

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

JESD-609 Kodu

e0

Montaj

Through Hole

Transistor Application

SWITCHING

Reach Svhc

No SVHC

Collector Emitter Voltage Vceo

400V

Hfemin

10

Emitter Base Voltage Vebo

9V

Transistor Type

NPN

Kılıf / Paket

TO-225AA, TO-126-3

Parça Durumu

Obsolete

Terminal Sayısı

3

Temel Parça No

BULT118

Power Dissipation

45W

Max Collector Current

2A

Collector Base Voltage Vcbo

700V

Tepe Reflow Sıcaklığı (°C)

260

Vcesatmax

1.5 V

Max Power Dissipation

45W

Collectoremitter Breakdown Voltage

400V

Akım Değeri

2A

Transistor Element Material

SILICON

Kurşunsuz

Lead Free

Number Of Elements

1

Turn Off Timemax Toff

4900ns

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

10 @ 500mA 5V

Element Configuration

Single

Pin Sayısı

3

Terminal Kaplaması

Tin/Lead (Sn/Pb)

Current Collector Cutoff Max

250μA

ECCN Kodu

EAR99

Voltage Rated Dc

400V

Montaj Tipi

Through Hole