BD680

Teknik Özellikler

Radyasyon Dayanımı

No

Current Collector Cutoff Max

500μA

Montaj

Through Hole

JESD-609 Kodu

e3

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

750 @ 1.5A 3V

Hfemin

750

Temel Parça No

BD680

Vce Saturation Max Ib Ic

2.5V @ 30mA, 1.5A

Polarity

PNP

Parça Durumu

Active

Pin Sayısı

3

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Voltage Rated Dc

-80V

Kılıf / Paket

TO-225AA, TO-126-3

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Max Power Dissipation

40W

Power Dissipation

40W

Uzunluk

7.8mm

Collectoremitter Breakdown Voltage

80V

Transistor Application

SWITCHING

Max Collector Current

4A

Collectoremitter Saturation Voltage

2.5V

Reach Svhc

No SVHC

Element Configuration

Single

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Transistor Element Material

SILICON

Emitter Base Voltage Vebo

5V

ECCN Kodu

EAR99

Collector Emitter Voltage Vceo

80V

Transition Frequency

10MHz

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Yükseklik

10.8mm

Pin Sayısı

3

Terminal Sayısı

3

Kurşunsuz

Lead Free

Transistor Type

PNP - Darlington

Ambalaj

Tube

Number Of Elements

1

Collector Base Voltage Vcbo

80V