BD678A

Teknik Özellikler

Montaj

Through Hole

Hfemin

750

JESD-609 Kodu

e3

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

750 @ 2A 3V

Current Collector Cutoff Max

500μA

Radyasyon Dayanımı

No

Max Breakdown Voltage

60V

Pin Sayısı

3

Vce Saturation Max Ib Ic

2.8V @ 40mA, 2A

Polarity

PNP

Parça Durumu

Active

Temel Parça No

BD678

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Power Dissipation

40W

Max Power Dissipation

40W

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Voltage Rated Dc

-60V

Kılıf / Paket

TO-225AA, TO-126-3

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Element Configuration

Single

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Collectoremitter Breakdown Voltage

60V

Uzunluk

7.8mm

Collectoremitter Saturation Voltage

2.8V

Max Collector Current

4A

Transistor Application

SWITCHING

Collector Emitter Voltage Vceo

60V

Transition Frequency

10MHz

ECCN Kodu

EAR99

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Fabrika Tedarik Süresi

8 Weeks

Transistor Element Material

SILICON

Kurşunsuz

Lead Free

Terminal Sayısı

3

Transistor Type

PNP - Darlington

Yükseklik

10.8mm

Pin Sayısı

3

Case Connection

ISOLATED

Genişlik

2.7mm

Akım Değeri

-4A