BD535

Teknik Özellikler

Collector Emitter Voltage Vceo

60V

Vcesatmax

0.8 V

Collectoremitter Saturation Voltage

800mV

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Max Collector Current

8A

Max Power Dissipation

50W

Collectoremitter Breakdown Voltage

60V

Voltage Rated Dc

60V

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Montaj Tipi

Through Hole

ECCN Kodu

EAR99

Transistor Application

SWITCHING

Element Configuration

Single

Parça Durumu

Obsolete

Power Dissipation

50W

Current Collector Cutoff Max

100μA

Gain Bandwidth Product

12MHz

Vce Saturation Max Ib Ic

800mV @ 600mA, 6A

Transistor Element Material

SILICON

Terminal Sayısı

3

Pin Sayısı

3

Kurşunsuz Kodu

yes

Transition Frequency

12MHz

Polaritychannel Type

NPN

JESD-609 Kodu

e3

Emitter Base Voltage Vebo

5V

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

3

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Ambalaj

Tube

Kurşunsuz

Lead Free

Transistor Type

NPN

Akım Değeri

8A

Temel Parça No

BD535

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

25 @ 2A 2V

Kılıf / Paket

TO-220-3

Hfemin

20

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Montaj

Through Hole

Number Of Elements

1