BD534

Teknik Özellikler

Vce Saturation Max Ib Ic

800mV @ 600mA, 6A

Transistor Element Material

SILICON

Power Dissipation

50W

Current Collector Cutoff Max

100μA

Gain Bandwidth Product

12MHz

Transistor Application

SWITCHING

Element Configuration

Single

Parça Durumu

Obsolete

Montaj Tipi

Through Hole

ECCN Kodu

EAR99

Nem Hassasiyeti (MSL)

1 (Unlimited)

Voltage Rated Dc

-45V

Terminal Kaplaması

Matte Tin (Sn)

Max Collector Current

8A

Max Power Dissipation

50W

Collectoremitter Breakdown Voltage

45V

Collector Emitter Voltage Vceo

45V

Vcesatmax

0.8 V

Collectoremitter Saturation Voltage

800mV

Montaj

Through Hole

Number Of Elements

1

Collector Base Voltage Vcbo

45V

Çalışma Sıcaklığı

150°C TJ

Kılıf / Paket

TO-220-3

Hfemin

20

Akım Değeri

-8A

Dc Current Gain Hfe Min Ic Vce

25 @ 2A 2V

Reach Svhc

No SVHC

Temel Parça No

BD534

Radyasyon Dayanımı

No

Pin Sayısı

3

Ambalaj

Tube

RoHS Durumu

ROHS3 Compliant

Kurşunsuz

Lead Free

Transistor Type

PNP

Kurşunsuz Kodu

yes

Polaritychannel Type

PNP

Transition Frequency

12MHz

Emitter Base Voltage Vebo

5V

JESD-609 Kodu

e3